碳化硅二极管具有开关频率高和正向压降低，反向电流恢复快的优点，SIC MOSFET可以应用在很多大电流设备当中，但碳化硅MOS管的反向击穿电压比较低，它的应用范围也被限制了。
现在碳化硅MOS管的快速应用是因为同类产品UFRD的反向恢复时间较慢，无法满足高级领域的1MHz～3MHz的SMPS需要，而且UFRD的导通损耗与开关损耗过大，需要采用低损耗的碳化硅MOS管来做替代。近几年，SBD的技术取得了突破性的发展，使用新型材料制作的SBD性能参数更好，为新应用注入了全新的生机与活力。
肖特基二极管有优点也有缺点，肖特基二极管的反向偏压较低还有反向漏电流比普通二极管大，反向偏压额定耐压水平最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度变化特性，容易因为随着环境温度不断升高而急速增加升高，在设计上要尤其注意热失控的隐忧。
